하이닉스 메모리 TOP 초격차 시동?

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[단독] "HBM 생산효율 8.8배 높다"…SK하이닉스, 메모리 톱 눈앞

 

지난달 25일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터. 한 장의 슬라이드가 공개되자 회의장을 가득 메운 반도체 업계 관계자들이 웅성거렸다. SK하이닉스가 자사 고대역폭메모리(HBM)와 관련해 중요한 정보를 공개했기 때문이다. ‘TAT 8.8대 1.’ 

반도체 업계에서는 실리콘 웨이퍼(반도체 원판)를 투입해 공정을 거쳐 완성된 칩 모양으로 나올 때까지의 소요시간을 TAT(Turn Around Time)라고 한다. 업계에서는 HBM의 TAT를 통상 3~4개월로 본다. D램을 쌓아 만든 칩인 HBM을 만드는 방식에는 크게 두 가지가 있는데 ‘메모리 빅3’ 중 삼성전자와 마이크론은 TC-NCF공정, SK하이닉스만 유일하게 MR-MUF 방식을 쓰고 있다. 

반도체 업계 관계자는 “SK하이닉스가 HBM을 만드는 데 1시간이 걸린다고 가정하면 나머지 회사들은 8.8시간이 걸린다는 뜻”이라 설명했다. 경쟁사 대비 SK하이닉스의 HBM 생산 효율이 8.8배 뛰어나다는 것.